片式电阻器的制造方法
专利摘要:本发明提供一种能够减轻由微裂纹引起的对特性的不良影响并能够通过微调用的第2调整槽进行稳定的高精度电阻值调整的片式电阻器的制造方法。在电阻体(4)形成有粗调用的第1调整槽(5)和微调用的第2调整槽(6)的片式电阻器(1)中,将第1调整槽(5)的L形转向后的第1横向切割部(5b)设定为固定长度(L1),并将第2调整槽(6)的调整开始点的坐标设定为与第1调整槽(5)的第1纵向切割部(5a)始终分隔固定距离(L2)的位置,通过从该坐标向与电极间方向正交的方向照射激光,形成与第1调整槽(5)逆向对置的第2调整槽(6)。
专利说明:
片式电阻器的制造方法
[0001] 技术领域
[0002] 本发明涉及一种通过在设置于绝缘基板上的电阻体形成调整槽来调整电阻值的片式电阻器的制造方法。
[0003] 背景技术
[0004] 一般的片式电阻器主要包括:长方体形状的绝缘基板、在绝缘基板的表面隔开规定间隔地对置配置的一对表面电极、在绝缘基板的背面隔开规定间隔地对置配置的一对背面电极、将表面电极与背面电极桥接的端面电极、将成对的表面电极相互桥接的电阻体和覆盖电阻体的保护膜等。
[0005] 在制造此种片式电阻器的情况下,在对大尺寸基板一并形成了许多个电极、电阻体、保护膜等后,将该大尺寸基板沿格子状的分割线(例如分割槽)进行分割来制取多个片式电阻器。在该片式电阻器的制造过程中,通过将电阻浆料印刷、烧结在大尺寸基板的单面来形成多个电阻体,但由于印刷时膜厚的不均、洇渗或是烧结炉内的温度不均匀等的影响,难以避免各电阻体的电阻值出现偏差,因此会进行在大尺寸基板的状态下在各电阻体上形成调整槽来设定成所期望的电阻值的电阻值调整作业。
[0006] 在这样的电阻器的电阻值调整方法中,通常的做法是事先将电阻体的电阻值形成为比目标电阻值略小的电阻值,之后一边使测量用的测量头接触两电极来测量电阻体的电阻值,一边对电阻体照射激光来形成调整槽,由此将电阻值提高到目标电阻值。作为调整槽的形状,已知有I形切割部、L形切割部等,进行高精度的电阻值调整的情况下,采用由粗调用和微调用的2个调整槽组合成的II形切割部或IL形切割部又或是双L形切割部等(专利文献1、专利文献2)。
[0007] 图6是专利文献1中记载的片式电阻器的平面图,如该图所示,在电阻体100形成有L形切割形状的第1调整槽101和I形切割形状的第2调整槽102,通过这些粗调用的第1调整槽101和微调用的第2调整槽102将电阻体100的电阻值调整到目标电阻值。
[0008] 对该电阻体的调整方法进行说明,首先,使测量头与一对电极103接触,测量电阻体100的初始电阻值,基于该初始电阻值设定并记录小于目标电阻值的第1目标电阻值。接着,一边使测量头接触两电极103来测量电阻体100的电阻值,一边从电阻体100的下边缘向上方照射激光,开始第1调整槽101的纵向切割。然后,若测量头所测得的测量电阻值达到了第1目标电阻值,则将激光的照射方向向左方进行L形转向并实施第1调整槽101的横向切割。
[0009] 接下来,在从第1调整槽101的纵向切割部向右方分开规定距离的规定位置,从电阻体100的下边缘向上方照射激光,开始第2调整槽102的I形切割(直线切割)。然后,若测量头所测得的测量电阻值到达了目标电阻值,则通过停止对电阻体100照射激光结束第2调整槽102的I形切割,来结束电阻体100的电阻值调整(调整工序)。如此,通过测量电阻体100的初始电阻值,并基于该初始电阻值设定第1调整槽101的纵向切割长度,由此第2调整槽102的长度不会超过第1调整槽101的L形转向位置(纵向切割部的顶端)。
[0010] 像这样在记载于专利文献1中的电阻体的调整方法中,由于基于电阻体100的初始电阻值来决定第1调整槽101的纵向切割部分的长度,因此第2调整槽102的I形切割部分的长度不会极端地长或短,且能够无关乎初始电阻值的偏差地进行稳定的高精度调整。然而,在第1调整槽101和第2调整槽102的顶端部会产生微裂纹,虽然因第1调整槽101的顶端部的微裂纹向电极间方向(横向)延长故几乎不会影响电阻值,但因第2调整槽102的顶端部的微裂纹向与电极间方向正交的方向(纵向)延长,所以在第2调整槽102的顶端部产生的微裂纹会较大地影响电阻值,而且还存在该微裂纹会影响电阻体100的电气特性和耐久性的问题。
[0011] 为了减轻这样的微裂纹的影响,在专利文献2中记载的电阻体的调整方法中,如图7所示,使L形切割形状的第1调整槽101和L形切割形状的第2调整槽104相向地形成在电阻体100。对该情况下的电阻体的调整方法进行说明,首先,一边使测量头接触两电极103来测量电阻体100的电阻值,一边从电阻体100的下边缘的规定位置向上方照射激光,开始第1调整槽101的纵向切割。然后,在测量电阻值达到了目标电阻值的百分之几十的时间点,将激光的照射方向向左方进行L形转向,开始第1调整槽101的横向切割,在测量电阻值达到了与目标电阻值差几个百分点的电阻值的时间点,停止照射激光,形成L形切割形状的第1调整槽101。当像这样形成粗调用的第1调整槽101时,得到作为实测电阻值的与目标电阻值接近到固定程度的值,从而结束电阻值的粗调。
[0012] 接下来,在从第1调整槽101的纵向切割部向左方分开规定距离L的位置,从电阻体100的下边缘向上方照射激光,开始第2调整槽104的纵向切割。然后,在测量头所测得的测量电阻值达到了例如与目标电阻值差百分之一的电阻值的时间点,将激光的照射方向向右方进行L形转向,开始第2调整槽104的横向切割,接着在测量电阻值达到了目标电阻值的时间点,停止照射激光,形成L形切割形状的第2调整槽104。若如此在电阻体100上形成粗调用的第1调整槽101和微调用的第2调整槽104,则在实测电阻值几乎达到了所期望的目标电阻值的时间点结束调整,从而结束对电阻值整体的调整。
[0013] 如此记载于专利文献2中的电阻体的调整方法中,由于在电阻体100形成L形切割形状的第1调整槽101来对电阻值进行粗调后,与该第1调整槽101相向地形成L形切割形状的第2调整槽104来对电阻值进行微调,因此在第1调整槽101和第2调整槽104的顶端部产生的微裂纹均处于向电极间方向延长的状态,对电阻值的影响变小,而且由于在第1调整槽101的顶端部产生的微裂纹的影响被第2调整槽104遮挡,因此能够减轻由这些微裂纹引起的对电气特性和耐久性的影响。
[0014] 现有技术文献
[0015] 专利文献
[0016] 专利文献1:日本特开平4-196502号公报;
[0017] 专利文献2:日本特开2000-340401号公报。
[0018] 发明内容
[0019] 发明要解决的问题
[0020] 专利文献2中记载的电阻体100中,基于相对于电阻体100的最终目标电阻值的比例,分别决定第1调整槽101和第2调整槽104的纵向切割部和横向切割部的长度,例如,关于粗调用的第1调整槽101的长度,在达到了目标电阻值的百分之几十的时间点将纵向切割进行L形转向后,在达到了与目标电阻值差几个百分点的电阻值的时间点停止横向切割。但是,第1调整槽101的横向切割部的全长是达到与最终目标电阻值差几个百分点的电阻值为止的长度,其因电阻体100的膜厚、材料等而成为各种长度,因此根据第1调整槽101的横向切割部的长度,会出现无法通过第2调整槽104来进行高精度的电阻值调整的情形。
[0021] 例如,如图8中的(a)所示,第1调整槽101的横向切割部的全长变短的情况下,有时第2调整槽104的调整开始点与第1调整槽101的末端距离较远,该情况下,第2调整槽104的纵向切割部的顶端到导通线EL1间的距离变得极端地短。在这里,导通线EL1是以最短距离将图中左侧的电极103同电阻体100的下边缘侧相接的接点P1与第1调整槽101的末端位置(横向切割部的顶端)连接起来的假想线,并在由该导通线EL1和第1调整槽101所围成的区域Q1内形成第2调整槽102。该区域Q1是电阻值增量与第2调整槽102的切入量增量的比例较小的部位,如上所述,当第2调整槽104的纵向切割部的顶端到导通线EL1间的距离变短时,能够调整电阻值的距离较短,因此结果是无法进行电阻值的微调。
[0022] 另外,如图8中的(b)所示,第1调整槽101的横向切割部的全长变得较长的情况下,有时第1调整槽101的末端超过第2调整槽104的开始点,该情况下,第2调整槽104的纵向切割部的单位长度对应的电阻值变化变得极端地小,因此若延长第2调整槽104的纵向切割部直至达到与目标电阻值差百分之一的电阻值,则第2调整槽104的纵向切割部的顶端会超出区域Q1并贯穿第1调整槽101的横向切割部。其结果是,电阻体100的电阻值会急剧上升,非但不能进行微调,而且在第2调整槽104的纵向切割部的顶端部产生的微裂纹的影响也会变大。
[0023] 本发明鉴于如此的现有技术的实际情况而完成,其目的在于提供一种能够减轻由微裂纹引起的对特性的不良影响并能通过微调用的第2调整槽进行稳定的高精度电阻值调整的片式电阻器的制造方法。
[0024] 用于解决课题的方案
[0025] 为达成上述目的,本发明的片式电阻器的制造方法的特征在于包含:电极形成工序,在绝缘基板的表面隔开规定间隔形成一对电极;电阻体形成工序,以与一对电极连接的方式形成矩形状的电阻体;第1调整形成工序,一边测量所述电阻体的电阻值,一边从所述电阻体的一个侧面设置向与电极间方向正交的方向延伸的第1切口,直到测量电阻值达到比初始电阻值大且比目标电阻值小的第1目标电阻值,之后从所述第1切口的末端设置向电极间方向延伸固定距离L1的第2切口,形成L字状的第1调整槽;以及第2调整形成工序,一边测量所述电阻体的电阻值,一边从所述第1调整槽的顶端侧的所述电阻体的一个侧面设置向与电极间方向正交的方向延伸的第3切口,直到测量电阻值达到比所述第1调整形成工序后的电阻值大且比目标电阻值小的第2目标电阻值,之后从所述第3切口的末端向所述第1调整槽的所述第1切口方向设置第4切口,直到达到目标电阻值,从而形成L字状的第2调整槽,所述第2调整槽的所述第3切口以从所述第1调整槽的所述第1切口向一个电极的方向分隔比所述距离L1长的固定距离L2的位置作为调整开始点,从所述电阻体的一个侧面向与电极间方向正交的方向延伸。
[0026] 在这样的片式电阻器的制造方法中,粗调用的第1调整槽的L形转向后的第2切口无关乎电阻体的膜厚、材料等地被设定为固定的长度L1,微调用的第2调整槽的调整开始点被规定在与第1调整槽的第1切口始终分隔固定距离L2的位置,因此第1调整槽的末端位置不会相对于第2调整槽的调整开始点离得过远或过近,而能够稳定地进行高精度的电阻值调整。
[0027] 上述片式电阻器的制造方法中,决定第1调整槽的转向位置的第1目标电阻值虽然可以始终为相同的值,但若对与第2切口的切入量相对应的电阻值变化量进行预测,将第1目标电阻值根据初始电阻值设定为规定的值,则即使在初始电阻值变动较大的情况下,第2切口之后的电阻值也不会超过目标电阻值,能够可靠地通过第2调整槽进行对电阻值微调。
[0028] 另外,上述片式电阻器的制造方法中,若第2调整槽的第3切口形成为,超过将一个电极与电阻体的一个侧面相接的交点和第1调整槽的末端连接起来的假想线,且不超过第1调整槽的第1切口长度,则能够更有效地减轻由在第1调整槽的顶端部产生的微裂纹引起的不良影响。
[0029] 发明效果
[0030] 根据本发明的片式电阻器的制造方法,能够减轻由微裂纹引起的对特性的不良影响,并能够通过微调用的第2调整槽进行稳定的高精度电阻值调整。
[0031] 附图说明
[0032] 图1是本发明的实施方式例子中的片式电阻器的平面图。
[0033] 图2是表示该片式电阻器的制造工序的说明图。
[0034] 图3是表示该片式电阻器的调整方法的说明图。
[0035] 图4是表示该片式电阻器的调整方法的流程图。
[0036] 图5是表示该片式电阻器的调整方法的流程图。
[0037] 图6是现有例子中的片式电阻器的平面图。
[0038] 图7是其他现有例子中的片式电阻器的平面图。
[0039] 图8是表示图7中片式电阻器所具有的问题点的说明图。
[0040] 具体实施方式
[0041] 参考附图对发明的实施方式进行说明,如图1所示,本发明的实施方式例子的片式电阻器1主要由长方体形状的绝缘基板2、设于该绝缘基板2的表面的长边方向两端部的一对表面电极3、以与这一对表面电极3连接的方式设置在绝缘基板2的表面的矩形状的电阻体4和以覆盖该电阻体4的方式设置的保护膜(未图示)等构成,在电阻体4形成有电阻值粗调用的第1调整槽5和微调用的第2调整槽6。此外,虽省略图示,但在绝缘基板2的背面以与表面电极3相对应的方式设置有一对背面电极,在绝缘基板2的长边方向的两端面设置有将相对应的表面电极和背面电极进行桥接的端面电极。
[0042] 绝缘基板2由陶瓷等构成,该绝缘基板2是后述的将大尺寸基板沿纵横分割槽分割而制取多个的基板。表面电极3是对Ag系浆料进行丝网印刷并进行干燥、烧结而成的,未图示的背面电极也是同样地对Ag系浆料进行丝网印刷并进行干燥、烧结而成的。
[0043] 电阻体4是对Cu-Ni、氧化钌等电阻浆料进行丝网印刷并进行干燥、烧结而成的,详情后述,通过在该电阻体4相向地形成L字形状的第1调整槽5和第2调整槽6,来调整片式电阻器1的电阻值。
[0044] 此外,未图示的保护膜是对环氧系的树脂浆料进行丝网印刷并加热固化而成的,该保护膜具有保护电阻体4不受外部环境影响的功能。另外,端面电极是在绝缘基板2的端面涂敷Ag浆料并进行干燥、烧结而成的,或者是替代Ag浆料溅射Ni/Cr等而成的电极,在该端面电极的表面施有Ni、Au或者Sn等的镀层。
[0045] 接下来,参考图2对如此构成的片式电阻器1的制造工序进行说明。
[0046] 首先,准备用于制取多个绝缘基板2的大尺寸基板。在该大尺寸基板事先呈格子状设置有1次分割槽和2次分割槽,将由两分割槽划分出的1个1个的格子作为1个片体区域。图2中将相当于1个片体区域的大尺寸基板2A作为代表示出,但实际上对相当于多个片体区域的大尺寸基板统一进行下面将要说明的各工序。
[0047] 即,如图2中(a)所示,在该大尺寸基板2A的表面对Ag系浆料进行丝网印刷后,使其干燥、烧结而形成一对表面电极3(表面电极形成工序)。此外,在该电极形成工序同时或与之互为前后地将Ag系浆料在该大尺寸基板2A的背面进行丝网印刷后,使其干燥、烧结而形成未图示的背面电极(背面电极形成工序)。
[0048] 接下来,如图2中(b)所示,通过将Cu-Ni、氧化钌等电阻浆料在大尺寸基板2A的表面进行丝网印刷并进行干燥、烧结,形成长边方向上的两端部与表面电极3重叠的矩形状的电阻体4(电阻体形成工序)。
[0049] 接下来,如图2中(c)所示,在形成了从电阻体4的下边缘的规定部位向上方延伸的第1纵向切割部5a后,形成从该第1纵向切割部5a的顶端向左方进行L形转向并延伸固定距离L1的第1横向切割部5b,由此在电阻体4形成L形切割部形状的第1调整槽5(第1调整形成工序)。通过该第1调整槽5,将电阻体4的电阻值粗调至比目标电阻值稍低的值。
[0050] 接下来,如图2中(d)所示,将从第1调整槽5的第1纵向切割部5a向左方分开固定距离L2(L2>L1)的位置作为调整开始点,形成从电阻体4的下边缘向上方延伸的第2纵向切割部6a后,形成从该第2纵向切割部6a的顶端向右方进行L形转向而延伸的第2横向切割部6b,由此在电阻体4形成与第1调整槽5呈逆向的L形切割形状的第2调整槽6(第2调整形成工序)。在像这样形成了第1调整槽5和第2调整槽6的时间点结束电阻体4的电阻值调整,电阻体4的电阻值变成与目标电阻值大致接近的值。
[0051] 在这里,也能根据目的将第2调整槽6的形状形成为从调整开始点起仅在与电极间方向正交的方向上延伸的I形切割形状等各种形状,但若将第2调整槽6形成为与第1调整槽5逆向的L字状,则在第1调整槽5和第2调整槽6的顶端部产生的微裂纹均会变成向电极间方向延长的状态,因此能够更有效地减轻由微裂纹引起的不良影响。另外,当L形切割形状的第2调整槽6的顶端以不超过第1调整槽5的方式形成时,则能够更有效地减轻由在第2调整槽6的顶端部产生的微裂纹引起的不良影响,而且若第2调整槽6的顶端部进入L形切割形状的第1调整槽5的内部,则能够消除由在第2调整槽的顶端部产生的微裂纹引起的不良影响。
[0052] 接下来,通过从第1调整槽5和第2调整槽6之上对环氧树脂浆料进行丝网印刷并加热固化,来形成覆盖电阻体4整体的未图示的保护膜(保护膜形成工序)。
[0053] 到此为止的各工序是对用于制取出多个绝缘基板2的大尺寸基板2A进行的统一处理,但在接下来的工序中,通过进行将大尺寸基板2A沿1次分割槽分割成长方形状的1次分断加工,得到设有多个片体区域的未图示的长方形状基板(1次分割工序)。接下来,通过在长方形状基板的分割面涂敷Ag浆料并进行干燥、烧结,或者是代替Ag浆料而溅射Ni/Cr等,来形成将表面电极3和背面电极桥接的未图示的端面电极(端面电极形成工序)。
[0054] 之后,通过进行将长方形状基板沿2次分割槽分割的2次分断加工,得到与片式电阻器1同等大小的片体单体(2次分割工序)。最后,对单片化的各片体单体的绝缘基板2的长边方向两端部施以Ni和Au、Sn等的电解电镀,形成覆盖从保护膜露出的表面电极3的未图示的外部电极,由此得到如图1所示的片式电阻器1。
[0055] 接下来,参考图3至图5对上述的第1调整形成工序和第2调整形成工序详细地进行说明。
[0056] 如图4的流程图所示,首先,在使未图示的测量头接触一对表面电极3来测量电阻体4的初始电阻值R0后(步骤S-1),基于该初始电阻值R0,决定第1目标电阻值R1的值(步骤S-2)。例如,在初始电阻值R0为目标电阻值Rt减去其10%的情况下,将第1目标电阻值R1决定为目标电阻值Rt减去其3%,在初始电阻值R0为目标电阻值Rt减去其30%的情况下,将第1目标电阻值R1决定为目标电阻值Rt减去其5%。
[0057] 接下来,一边使测量头接触一对表面电极3来测量电阻体4的电阻值R(步骤S-3),一边使激光从图3所示的起点坐标(x0,y0)起沿Y1方向进行扫描(步骤S-4)。由此,如图3中(a)所示,形成从电阻体4的下边缘向上方延伸的第1纵向切割部5a(步骤S-5),电阻体4的测量电阻值R随着该第1纵向切割部5a的切入量而逐渐上升。
[0058] 然后,电阻体4的测量电阻值R达到第1目标电阻值R1后(步骤S-6),以该位置为转向坐标(x0,y1),将激光向左侧方向变换90°沿X2方向进行扫描(步骤S-7)。由此,如图3中(b)所示,形成从第1纵向切割部5a的顶端向左方向延伸的第1横向切割部5b(步骤S-8),电阻体4的电阻值随着该第1横向切割部5b的切入量而一点点地上升。
[0059] 然后,若第1横向切割部5b从第1纵向切割部5a的顶端延伸出固定距离L1,即,激光的照射位置达到从转向坐标(x0,y1)沿X2方向移动固定距离L1的坐标(x0+L1,y1)后(步骤S-9),在该位置结束激光照射,形成L字状的第1调整槽5(步骤S-10)。若如此形成粗调用的第1调整槽5,则在该时间点,电阻体4的电阻值被粗调至大于第1目标电阻值R1且小于目标电阻值Rt的第2目标电阻值R2。此外,可以通过将电阻体4的表面用由玻璃浆料等形成的预涂层覆盖,从该预涂层之上照射激光,由此在电阻体4形成第1调整槽5。
[0060] 在这里,与第1横向切割部5b的切入距离L1相对应的电阻值变化量根据第1纵向切割部5a的顶端位置(转向位置)而发生变化,该转向位置越接近电阻体4的上边缘,与第1横向切割部5b的切入距离L1相对应的电阻值变化量越大。如上所述,在本实施方式的例子中,初始电阻值R0与目标电阻值Rt的差值越大,将第1目标电阻值R1的值决定得越小,因此即使是在初始电阻值R0相对于目标电阻值Rt出现较大变动的情况下,也能够通过将第1横向切割部5b切入固定距离L1,来将电阻体4的电阻值可靠地粗调至第2目标电阻值R2。
[0061] 之后,如图5的流程图所示,基于第1调整槽5的第1纵向切割部5a的位置决定第2调整槽6的调整开始点即激光照射开始坐标,将该照射开始坐标设定为从起点坐标(x0,y0)向左方向(X2方向)分开固定距离L2的位置(x0+L2,y0)(步骤S-11)。
[0062] 接下来,一边使测量头接触一对表面电极3来测量电阻体4的电阻值R(步骤S-12),一边使激光从该照射开始坐标(x0+L2,y0)起沿Y1方向进行扫描(步骤S-13)。由此,如图3中(c)所示,形成从电阻体4的下边缘向上方延伸的第2纵向切割部6a(步骤S-14),电阻体4的测量电阻值R随着该第2纵向切割部6a的切入量而进一步上升。此时,以向着以最短距离将图中左侧的表面电极3同电阻体4的下边缘相接的接点P1与第1调整槽5的第1横向切割部5b的末端连接起来的导通线EL1延伸的方式形成第2纵向切割部6a。
[0063] 然后,在电阻体4的测量电阻值R达到大于第2目标电阻值R2且小于目标电阻值Rt的第3目标电阻值R3后(步骤S-15),将激光向右侧方向变换90°沿X1方向进行扫描(步骤S-16)。由此,如图3中(d)所示,形成从第2纵向切割部6a的顶端向右方向延伸的第2横向切割部6b(步骤S-17),电阻体4的电阻值随着该第2横向切割部6b的切入量而进一步一点点地上升。
[0064] 然后,在电阻体4的测量电阻值R达到目标电阻值Rt后(步骤S-18),在该位置停止照射激光而形成第2调整槽6(步骤S-19),由此结束对电阻体4的全部调整工序。
[0065] 如以上说明所示,在本实施方式例的片式电阻器1的制造方法中,在形成粗调用的第1调整槽5时,将第1调整槽5的L形转向后的第1横向切割部5b(第2切口)无关乎电阻体4的膜厚、材料等地设定为固定长度L1,将微调用的第2调整槽6的调整开始点规定为与第1调整槽5的第1纵向切割部5a(第1切口)始终分隔固定距离L2的位置,因此第1调整槽5的末端位置不会相对于第2调整槽6的调整开始点离得过远或过近,而能够稳定地进行高精度的电阻值调整。
[0066] 另外,本实施方式例子中,对与第1调整槽5的L形转向后的第1横向切割部5b(第2切口)的切入量相对应的电阻值变化量进行预测,将第1目标电阻值R1设定成基于初始电阻值R0的规定的值,因此即使在初始电阻值R0较大地变动的情况下,也能够通过第1调整槽5可靠地进行电阻值的粗调。
[0067] 此外,上述实施方式例中,虽然以不超过将一个电极3同电阻体4的一个侧面相接的接点P1与第1调整槽5的末端连接起来的假想线EL1的方式,形成有第2调整槽6的第2纵向切割部(第3切口)6a,但也可以将第2调整槽6的第2纵向切割部6a延伸到超过假想线EL1的位置且形成为不超过第1调整槽5的第1纵向切割部(第1切口)5a的长度。如此一来,由于在第1调整槽5的顶端部产生的微裂纹的影响被第2调整槽6的第2纵向切割部6a遮挡,因此能够更有效地减轻由在第1调整槽5的第1横向切割部5b的顶端部产生的微裂纹引起的不良影响。
[0068] 附图标记说明
[0069] 1:片式电阻器;
[0070] 2:绝缘基板;
[0071] 3:表面电极;
[0072] 4:电阻体;
[0073] 5:第1调整槽;
[0074] 5a:第1纵向切割部(第1切口);
[0075] 5b:第1横向切割部(第2切口);
[0076] 6:第2调整槽;
[0077] 6a:第2纵向切割部(第3切口);
[0078] 6b:第2横向切割部(第4切口);
[0079] EL1:导通线;
[0080] Q1:区域
权利要求:1.一种片式电阻器的制造方法,其特征在于,包含:
电极形成工序,在绝缘基板的表面隔开规定间隔形成一对电极;
电阻体形成工序,以与一对电极连接的方式形成矩形状的电阻体;
第1调整形成工序,一边测量所述电阻体的电阻值,一边从所述电阻体的一个侧面设置向与电极间方向正交的方向延伸的第1切口,直到测量电阻值达到比初始电阻值大且比目标电阻值小的第1目标电阻值,之后从所述第1切口的末端设置向电极间方向延伸固定距离L1的第2切口,形成L字状的第1调整槽;以及
第2调整形成工序,一边测量所述电阻体的电阻值,一边从所述第1调整槽的顶端侧的所述电阻体的一个侧面设置向与电极间方向正交的方向延伸的第3切口,直到测量电阻值达到比所述第1调整形成工序后的电阻值大且比目标电阻值小的第2目标电阻值,之后从所述第3切口的末端朝向所述第1调整槽的所述第1切口设置第4切口,直到达到目标电阻值,从而形成L字状的第2调整槽,
所述第2调整槽的所述第3切口以从所述第1调整槽的所述第1切口向一个电极的方向分隔比所述距离L1长的固定距离L2的位置作为调整开始点,从所述电阻体的一个侧面向与电极间方向正交的方向延伸。
2.根据权利要求1所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于,
所述第1目标电阻值的值根据初始电阻值决定。
3.根据权利要求1所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于,
所述第2调整槽的所述第3切口形成为超过将一个所述电极与所述电阻体的一个侧面相接的交点和所述第1调整槽的末端连接起来的假想线,且不超过所述第1调整槽的所述第1切口的长度。
4.根据权利要求2所述的片式电阻器的制造方法,其特征在于,
所述第2调整槽的所述第3切口形成为超过将一个所述电极与所述电阻体的一个侧面相接的交点和所述第1调整槽的末端连接起来的假想线,且不超过所述第1调整槽的所述第1切口的长度。
公开号:CN110603614
申请号:CN201880029658.1A
发明人:松本健太郎 井口夏希
申请人:Koa株式会社
申请日:2018-03-13
公开日:2019-12-20
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